CE8808
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n 简介
CE8808 系列是采用CMOS 工艺制造的高精度、低功耗的电压检测芯片。主要由基准电压产生器、电压取样电路、比较器及输出单元构成。在输出方式上备有NMOS输出和CMOS输出两种选择。用于1.5V~6.0V 的电源电压的检测，可为大多数微处理器及数字系统电源提供电压检测。
n 特性
l 超低消耗电流：0.9µA (VDD=3.5V)(典型)
l 高精度检测电压：±2.0%
l 工作电压范围：0.95V～7.0V
l 滞后特性：-VDET×5％（典型值）
l 检测电压：1.5V～6.0V(10mV步进)
l 输出方式：NMOS输出(动态Low)
CMOS输出(动态Low)
n 应用
l 停电检测器
l 照相机、视频设备的电源监视
l 通信设备的稳压电源的监视
l 存储器电池备份电路
l 电池电压监测
l 微机用电源的监视以及CPU 的复位IC
l 笔记本电脑备用电源的监视
l PDA电源的监视
l 手提电話等便携式设备用电源的监视
n 产品命名
CE8808①②③④⑤ |
位置指示 | 符号 | 描 述 |
① | C | CMOS输出 |
N | Nch开漏输出 |
②③④ | 整数 | 输出电压值(1.50V~6.00V), ④为0时默认缺省 例如：3.0V=②:3, ③:0 2.93V=②:2, ③:9, ④:3 |
⑤ | M/MA/MR | 封装形式：SOT-23,SOT-25 |
N | 封装形式：SOT-343(SC-82) |
P | 封装形式：SOT-89-3 |
T/TA | 封装形式：TO-92 |
n 引脚排列图和引脚分配
CE8808系列产品（SOT-23-3封装）
引脚号 | M | MA | 描 述 |
1 | VDD | VDD | 电压输入端 |
2 | VOUT | - | 电压检测输出端 |
- | VSS | GND端 |
3 | VSS | - | GND端 |
- | VOUT | 电压检测输出端 |
引脚号 | MR | 描 述 |
1 | VOUT | 电压检测输出端 |
2 | VDD | 电压输入端 |
3 | VSS | GND端 |
4 | NC | 无连接（与VDD 以及VSS 相接均可） |
5 | NC | 无连接（与VDD 以及VSS 相接均可） |
CE8808系列产品（SOT-89-3封装）
引脚号 | P | 描 述 |
1 | VOUT | 电压检测输出端 |
2 | VDD | 电压输入端 |
3 | VSS | GND端 |
引脚号 | T | TA | 描 述 |
1 | VOUT | - | 电压检测输出端 |
- | VDD | 电压输入端 |
2 | VDD | - | 电压输入端 |
- | VSS | GND端 |
3 | VSS | - | GND端 |
- | VOUT | 电压检测输出端 |
CE8808系列产品（SOT343封装）
引脚号 | N | 描 述 |
1 | VOUT | 电压检测输出端 |
2 | VDD | 电压输入端 |
3 | NC | 无连接（与VDD 以及VSS 相接均可） |
4 | VSS | GND端 |
n 极限参数
(除特别说明外：Ta = 25°C)
项 目 | 符号 | **最大额定值 | 单位 |
电源电压 | VDD | VSS－0.3 ~ VSS＋8 | V |
VOUT端电压 | VOUT | VSS－0.3 ~ VSS＋8 | V |
容许功耗 | SOT-23 | PD | 250 | mW |
SOT-89 | 500 | mW |
TO-92 | 500 | mW |
SOT343 | 250 | mW |
工作周围温度 | Topr | －40 ~＋85 | °C |
保存温度 | Tstg | －40 ~＋125 | °C |
焊接温度和时间 | Tsolder | 260℃, 10s | |
n 主要参数及工作特性
(除特别说明外：Ta = 25°C)
项目 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
检测电压*1 | −VDET | — | −VDET(S) ×0.98 | −VDET(S) | −VDET(S) ×1.02 | V |
滞后幅度 | VHYS | — | 0.02× −VDET(S) | 0.05× −VDET(S) | 0.08× −VDET(S) | V |
消耗电流 | ISS | VDD =－VDET＋0.5V | CE8808C/N20～26 | — | 1.0 | 2.0 | uA |
CE8808C/N26～39 | — | 1.2 | 2.5 | uA |
CE8808C/N39～60 | — | 1.5 | 3.0 | uA |
工作电压 | VDD | — | 0.95 | — | 7 | V |
输出电流 | IOUT | NMOS管输出： VOUT =0.5 V VDD =－VDET－0.5 V | CE8808C/N20～26 | 3.0 | 13.0 | — | mA |
CE8808C/N26～39 | 3.0 | 15.0 | — | mA |
CE8808C/N39～60 | 3.0 | 18.0 | — | mA |
PMOS管输出： VDD -VOUT=0.5 V VDD =－VDET+0.5 V | CE8808C/N20～26 | 1.5 | 4.0 | — | mA |
CE8808C/N26～39 | 1.5 | 6.0 | — | mA |
CE8808C/N39～60 | 1.5 | 8.0 | — | mA |
泄漏电流 | ILEAK | 仅NMOS输出产品， VDD =8.0 V, VOUT =8.0 V | | 0.1 | 1.0 | uA |
检测电压的温度系数 | | Ta=−40°C ~ +85°C | — | ±120 | ±360 | ppm/°C |
响应时间 | TPLH | | | 200 | | μs |
*1. −VDET : 实际检测电压值、−VDET(S) : 设定检测电压值
n 工作时序图
1. 输入电压VDD>+ VDET 时，输出电压VOUT=VDD
2. 输入电压下降到VDD<-VDET 时，输出电压为零
3. 输入电压VDD 继续下降、低于最小工作电压VMIN 时，输出不稳定
4. 输入电压VDD 上升，但仍小于最小工作电压VMIN 时，输出不稳定
5. 输入电压VDD 上升，VDD>+VDET 时，VOUT=VDD
n 应用电路
1、CMOS输出：
2、N沟道开路漏极输出
3．禁止使用电路
n 封装信息
● SOT-23-3
● SOT-23-5
● SOT-343
● SOT-89-3
● TO-92
