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CE8808[产品打印页面]


产品名称: CE8808
产品型号: CE8808
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简单介绍
CE8808 系列是采用CMOS 工艺制造的高精度、低功耗的电压检测芯片。主要由基准电压产生器、电压取样电路、比较器及输出单元构成。CE8808 系列在输出方式上备有NMOS输出和CMOS输出两种选择。用于1.5V~6.0V 的电源电压的检测,CE8808 系列可为大多数微处理器及数字系统电源提供电压检测。

CE8808 的详细介绍

 

超小型高精度电压检测器

 

CE8808系列

 




 

 

 

 

CE8808

CE8808中文技术资料下载地址:
http://www.qunchi.com/qunchi_FileInfo_236542.html

n        简介

CE8808 系列是采用CMOS 工艺制造的高精度、低功耗的电压检测芯片。主要由基准电压产生器、电压取样电路、比较器及输出单元构成。在输出方式上备有NMOS输出和CMOS输出两种选择。用于1.5V~6.0V 的电源电压的检测,可为大多数微处理器及数字系统电源提供电压检测

 

 

 

n        特性

l         超低消耗电流:0.9µA (VDD=3.5V)(典型)

l         高精度检测电压:±2.0%

l         工作电压范围:0.95V7.0V

l         滞后特性:-VDET×5%(典型值)

l         检测电压:1.5V6.0V(10mV步进)

l         输出方式:NMOS输出(动态Low)

CMOS输出(动态Low)

 


n        应用

l         停电检测器      

l          照相机、视频设备的电源监视

l          通信设备的稳压电源的监视

l         存储器电池备份电路   

l         电池电压监测

l         微机用电源的监视以及CPU 的复位IC

l         笔记本电脑备用电源的监视

l         PDA电源的监视

l         手提电話等便携式设备用电源的监视

 

 

n        产品命名

CE8808①②③④

位置指示

符号

 

C

CMOS输出

N

Nch开漏输出

 ②③

整数

输出电压值(1.50V~6.00V),

0时默认缺省                           例如:3.0V=②:3, ③:0

2.93V=②:2, ③:9, :3

M/MA/MR

封装形式:SOT-23,SOT-25

N

封装形式:SOT-343(SC-82)

P

封装形式:SOT-89-3

T/TA

封装形式:TO-92

 


n        原理框图


N沟道开漏输出

 

CMOS输出

 


n        引脚排列图和引脚分配

  CE8808系列产品(SOT-23-3封装)

引脚号

M

MA

 

1

VDD

VDD

电压输入端

2

VOUT

-

电压检测输出端

-

VSS

GND

3

VSS

-

GND

-

VOUT

电压检测输出端

  CE8808系列产品(SOT-23-5封装)

引脚号

MR

 

1

VOUT

电压检测输出端

2

VDD

电压输入端

3

VSS

GND

4

NC

无连接(VDD 以及VSS 相接均可

5

NC

无连接(与VDD 以及VSS 相接均可)

 

 

 

 

 

 

  CE8808系列产品(SOT-89-3封装)

引脚号

P

  

1

VOUT

电压检测输出端

2

VDD

电压输入端

3

VSS

GND

  CE8808系列产品(TO-92封装)

 

引脚号

T

TA

  

1

VOUT

-

电压检测输出端

-

VDD

电压输入端

2

VDD

-

电压输入端

-

VSS

GND

3

VSS

-

GND

-

VOUT

电压检测输出端

 

 

 

 

 

 


  CE8808系列产品(SOT343封装)

引脚号

N

  

1

VOUT

电压检测输出端

2

VDD

电压输入端

3

NC

无连接(VDD 以及VSS 相接均可

4

VSS

GND

 

n        极限参数

                (除特别说明外:Ta = 25°C)

   

符号

优良最大额定值

单位

电源电压

VDD

VSS0.3 ~ VSS8

V

VOUT端电压

VOUT

VSS0.3 ~ VSS8

V

容许功耗

SOT-23

PD

250

mW

SOT-89

500

mW

TO-92

500

mW

SOT343

250

mW

工作周围温度

Topr

40 ~85

°C

保存温度

Tstg

40 ~125

°C

焊接温度和时间

Tsolder

260, 10s

 

 

 

n        主要参数及工作特性

                     (除特别说明外:Ta = 25°C)

项目

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

检测电压*1

−VDET

−VDET(S) ×0.98

−VDET(S)

−VDET(S) ×1.02

V

滞后幅度

VHYS

0.02×

−VDET(S)

0.05×

−VDET(S)

0.08×

−VDET(S)

V

消耗电流

ISS

VDD =VDET0.5V

CE8808C/N2026

1.0

2.0

uA

CE8808C/N2639

1.2

2.5

uA

CE8808C/N3960

1.5

3.0

uA

工作电压

VDD

0.95

7

V

输出电流

IOUT

NMOS管输出:

VOUT =0.5 V

VDD =VDET0.5 V

CE8808C/N2026

3.0

13.0

mA

CE8808C/N2639

3.0

15.0

mA

CE8808C/N3960

3.0

18.0

mA

PMOS管输出:

VDD -VOUT=0.5 V

VDD =VDET+0.5 V

CE8808C/N2026

1.5

4.0

mA

CE8808C/N2639

1.5

6.0

mA

CE8808C/N3960

1.5

8.0

mA

泄漏电流

ILEAK

NMOS输出产品,

VDD =8.0 V, VOUT =8.0 V

0.1

1.0

uA

检测电压的温度系数

 

Ta=−40°C ~ +85°C

±120

±360

ppm/°C

响应时间

TPLH

 

 

200

 

μs

*1. −VDET : 实际检测电压值、−VDET(S) : 设定检测电压值

 

 

n        工作时序图

1. 输入电压VDD>+ VDET 时,输出电压VOUT=VDD

2. 输入电压下降到VDD<-VDET 时,输出电压为零

3. 输入电压VDD 继续下降、低于最小工作电压VMIN 时,输出不稳定

4. 输入电压VDD 上升,但仍小于最小工作电压VMIN 时,输出不稳定

5. 输入电压VDD 上升,VDD>+VDET 时,VOUT=VDD

 

 

 

 

 

 

 

 


 

n         应用电路

 

1CMOS输出:

  

 

2N沟道开路漏极输出

 

3.禁止使用电路

 

 

 

 

 


 

n        封装信息

● SOT-23-3

                                                    

 

 


 

● SOT-23-5

 


 

● SOT-343


 

● SOT-89-3

 

 

 

 

 


 

TO-92

 

 

 

 

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